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SIM卡电路的主要分为哪些部分

文章出处:深圳市连欣科技有限公司 发表时间:2023/7/29 10:34:04 浏览次数:595
SIM卡电路的主要分为几个部分,VCC :电源,存在1.8V/3V/5V ,按照协议,目前常用的分为CLASS B与CLASS C。其中,CLASS B电压为2.7-3.3V。 CLASS C电压为1.62-198V。功耗方面CLASS B最大为6mA。CLASS C最大为4mA。一般情况下, SIM卡检测电路要求支持1.8V与3.0V。
RST:复位,主要用于对内部的处理器进行复位。低电平: 0-0.2VCC。高电平: 0.8VCC-VCC。CLK :时钟,时钟均在1-4MHZ。 低电平: 0-0.2VCC。高电平:0.7VCC-VCC。数据与手机内部进行信息传输的通信线。低电平: -0.3-0.2VCC。高电平: 0.7VCC-VCC+0.3。
VPP , SIM卡的编程供电。在一般情况下为NC ,在设备具备NFC功能的情况下会使用到该引脚。


DET,检测管脚,低电平拔出,高电平插入。其中, DET脚并不是SIM卡的引脚信号。其仅存在与连接器卡座上,属于机械弓|脚,通过机械结构实现插卡与拔卡的状态切换。
电源开关时,SIM卡电气性能为:当敞开电源期间,按以下次第激活各触点:RST低电平状况:Vcc加电;I/O口处于接纳状况;VPP加电;供给安稳的时钟信号。当封闭电源时,按如下次第作业:RST低电平状况;CLK低电平状况;VPP去电;I/O口低电平状况;VCC去电。
正常开机的移动电话机,在SIM卡座上用示波器能够丈量到SIM_I/O、SIM_CLK、SIM_RST信号,它们是一个3V左右的脉冲。若检测不到,阐明SIM卡座供电开关管周边电阻、电容元件脱焊、SIM卡卡座脱焊,也有可能是卡座导致接触不良,SIM卡外表氧化或是作废卡。

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